Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 1,15
€ 0,115 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 1,15
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Empaque de Producción (Rollo)
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NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto