Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,72 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 4,69
€ 0,047 Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
€ 4,69
€ 0,047 Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,047 | € 4,69 |
200 - 400 | € 0,046 | € 4,58 |
500 - 900 | € 0,029 | € 2,93 |
1000 - 1900 | € 0,028 | € 2,82 |
2000+ | € 0,023 | € 2,35 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,72 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto