MOSFET Nexperia BSS138P,215, VDSS 60 V, ID 360 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,72 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 86,27
$ 0,029 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 0,029 | $ 86,27 |
| 6000 - 12000 | $ 0,027 | $ 82,16 |
| 15000 - 27000 | $ 0,026 | $ 78,05 |
| 30000 - 57000 | $ 0,026 | $ 78,05 |
| 60000+ | $ 0,026 | $ 78,05 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,72 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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