Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 10,44
€ 0,209 Each (On a Reel of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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