Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
BSS138AKA
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.06 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 14,03
€ 0,14 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
€ 14,03
€ 0,14 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,14 | € 14,03 |
500 - 900 | € 0,129 | € 12,86 |
1000 - 2400 | € 0,12 | € 12,04 |
2500 - 4900 | € 0,111 | € 11,10 |
5000+ | € 0,102 | € 10,17 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
BSS138AKA
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.06 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto