MOSFET Nexperia BSS138AKAR, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 136-4825Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS138AKAR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

BSS138AKA

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

1.06 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

1.4mm

Longitud:

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,39 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 14,03

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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500 - 900€ 0,129€ 12,86
1000 - 2400€ 0,12€ 12,04
2500 - 4900€ 0,111€ 11,10
5000+€ 0,102€ 10,17

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N

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200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

1.06 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Anchura

1.4mm

Longitud:

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,39 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1mm

Estándar de automoción

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