Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 10,79
€ 0,054 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
€ 10,79
€ 0,054 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
200 - 400 | € 0,054 | € 5,40 |
500 - 900 | € 0,042 | € 4,22 |
1000 - 1900 | € 0,04 | € 3,99 |
2000+ | € 0,038 | € 3,76 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto