MOSFET Nexperia BSS123,215, VDSS 100 V, ID 150 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-0885PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS123,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

150 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

3mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.4mm

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 10,79

€ 0,054 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
200 - 400€ 0,054€ 5,40
500 - 900€ 0,042€ 4,22
1000 - 1900€ 0,04€ 3,99
2000+€ 0,038€ 3,76

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N

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150 mA

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100 V

Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

3mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

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Profundidad

1.4mm

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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