Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
375 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.7mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.7mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 4,24
€ 0,424 Each (On a Reel of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
375 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.7mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.7mm
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