MOSFET Nexperia BSH203,215, VDSS 30 V, ID 470 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
470 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.68V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
417 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 267,51
€ 0,089 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.68V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Configuración de transistor
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1
Ancho
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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