MOSFET Nexperia BSH121,135, VDSS 55 V, ID 300 mA, SOT-323 (SC-70) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.35mm
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40V a 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
10000
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Profundidad
1.35mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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