Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia