MOSFET Nexperia BSH108,215, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
830 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,4 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 260,28
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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1
Profundidad
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Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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