MOSFET Nexperia BSH105,215, VDSS 20 V, ID 1,05 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.05 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
417 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 246,39
€ 0,082 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Mejora
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Material del transistor
Si
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Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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