MOSFET Nexperia BSH103,215, VDSS 30 V, ID 850 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 103-7554Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSH103,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

850 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,1 nC a 4,5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, hasta 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 468,97

$ 0,156 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia BSH103,215, VDSS 30 V, ID 850 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000$ 468,97
6000$ 937,94
9000$ 1.406,91
12000$ 1.875,88
15000$ 2.344,86
18000$ 2.813,83
21000$ 3.282,80
24000$ 3.751,77
27000$ 4.220,74
30000$ 4.689,71
33000$ 5.158,68
36000$ 5.627,65
39000$ 6.096,62
42000$ 6.565,60
45000$ 7.034,57

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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,1 nC a 4,5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

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