Diodo, BAT85,113, 200mA, 30V Barrera Schottky, 4ns, DO-34, 2-Pines 800mV
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
DO-34
Corriente Continua Máxima Directa
200mA
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Diodo Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
800mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Barrera Schottky
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
4ns
Diámetro
1.6mm
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
5A
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, 200mA a 500mA
Alta eficacia
Encapsulados de montaje superficial ultrapequeños de perfil bajo
Optimizados para caída de tensión directa baja y alta temperatura de empalme
Baja capacitancia
Pérdidas de potencia por conmutación insignificantes
Corriente de fugas baja
Diodes and Rectifiers
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€ 715,71
€ 0,072 Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
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Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
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Alta eficacia
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Optimizados para caída de tensión directa baja y alta temperatura de empalme
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