MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
260 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 2,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 89,81
€ 0,03 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,03 | € 89,81 |
| 9000+ | € 0,029 | € 86,22 |
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
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Ancho
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Si
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Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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