MOSFET Nexperia 2N7002P,215, VDSS 60 V, ID 360 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 86,22
€ 0,029 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,029 | € 86,22 |
| 9000+ | € 0,028 | € 82,63 |
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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