MOSFET Microchip 2N7000-G, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Ancho
4.06mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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€ 9,91
€ 0,396 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 9,91
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Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,396 | € 9,91 |
| 100+ | € 0,364 | € 9,10 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Ancho
4.06mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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