MOSFET Microchip 2N7000-G, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.06mm
Longitud
5.08mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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€ 360,12
€ 0,36 Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
1000
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.06mm
Longitud
5.08mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
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-55 °C
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