MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2, VDSS 55 V, ID 550 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-4794Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: MMIX1T550N055T2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

550 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

24

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Disipación de Potencia Máxima

830 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

23.25mm

Longitud

25.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

595 nC a 10 V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

5.7mm

País de Origen

Germany

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 902,94

$ 45,147 Each (In a Tube of 20) (Sin IVA)

MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2, VDSS 55 V, ID 550 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 902,94
40$ 1.805,89
60$ 2.708,83
80$ 3.611,78
100$ 4.514,72
120$ 5.417,66
140$ 6.320,61
160$ 7.223,55
180$ 8.126,49
200$ 9.029,44
220$ 9.932,38
240$ 10.835,33
260$ 11.738,27
280$ 12.641,21
300$ 13.544,16

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180$ 8.126,49
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SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

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1.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Disipación de Potencia Máxima

830 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

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1

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23.25mm

Longitud

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Tensión de diodo directa

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