MOSFET IXYS MMIX1F180N25T, VDSS 250 V, ID 132 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
132 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Tipo de Encapsulado
SMPD
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
24
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
570000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
23.25mm
Longitud:
25.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
364 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
5.7mm
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 745,60
€ 37,28 Each (In a Tube of 20) (Sin IVA)
20
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Anchura
23.25mm
Longitud:
25.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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