IGBT, IXYX120N120C3, N-Canal, 240 A, 1.200 V, PLUS247, 3-Pines, 50kHz Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
240 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
1500 W
Tipo de Encapsulado
PLUS247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
50kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.34mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 982,30
€ 32,743 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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Disipación de Potencia Máxima
1500 W
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
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50kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.34mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
País de Origen
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Datos del producto
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
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IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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