MOSFET IXYS IXTP50N20P, VDSS 200 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 193-420PMarca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXTP50N20P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

360 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.66mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Profundidad

4.83mm

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

360 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.66mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Profundidad

4.83mm

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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