MOSFET IXYS IXTN22N100L, VDSS 1.000 V, ID 22 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Series
Linear
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
700000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
25.07mm
Longitud
38.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
270 nC a 15 V
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.6mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear
MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 501,28
€ 50,128 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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