MOSFET IXYS IXTN200N10L2, VDSS 100 V, ID 178 A, SOT-227 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
178 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
Linear L2
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
25.07mm
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
540 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
9.6mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear
MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 456,37
€ 45,637 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
10
€ 456,37
€ 45,637 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
178 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
Linear L2
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
25.07mm
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
540 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
9.6mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear
MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products