MOSFET IXYS IXFR44N80P, VDSS 800 V, ID 25 A, ISOPLUS247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
ISOPLUS247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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Si
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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