MOSFET IXYS IXFP7N80P, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,44 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.83mm
Longitud
10.66mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 162,15
€ 3,243 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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Material del transistor
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4.83mm
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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