MOSFET IXYS IXFP12N50P, VDSS 500 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.66mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Tipo de montaje
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500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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Longitud
10.66mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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