MOSFET IXYS IXFP12N50P, VDSS 500 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 194-619Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFP12N50P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 10 V

Profundidad

4.83mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.66mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 17,65

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Producción -

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5

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5€ 17,65
10€ 35,30
15€ 52,95
20€ 70,60
25€ 88,24
30€ 105,89
35€ 123,54
40€ 141,19
45€ 158,84
50€ 176,49
55€ 194,14
60€ 211,79
65€ 229,44
70€ 247,08
75€ 264,73

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TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Profundidad

4.83mm

Material del transistor

Si

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Altura

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

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