Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1,04 kW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
240 nC a 10 V
Profundidad
25.07mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
38.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
$ 50,03
$ 50,03 Each (Sin IVA)
1
$ 50,03
$ 50,03 Each (Sin IVA)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 1 | $ 50,03 |
2 - 4 | $ 48,54 |
5+ | $ 47,54 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1,04 kW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
240 nC a 10 V
Profundidad
25.07mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
38.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS