MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple

Código de producto RS: 194-130Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN82N60P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

72 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

75 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1,04 kW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

240 nC a 10 V

Profundidad

25.07mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

38.2mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

9.6mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 50,03

$ 50,03 Each (Sin IVA)

MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 50,03
2$ 97,08
3$ 145,63
4$ 194,17
5$ 237,71
6$ 285,25
7$ 332,79
8$ 380,34
9$ 427,88
10$ 475,42
11$ 522,96
12$ 570,51
13$ 618,05
14$ 665,59
15$ 713,13

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Mejora

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5V

Disipación de Potencia Máxima

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25.07mm

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Si

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38.2mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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