MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-0745Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN80N50P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

66 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

700000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

25.07mm

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

38.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

195 nC a 10 V

Altura

9.6mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 254,48

€ 25,448 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)

MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 254,48
20€ 508,96
30€ 763,45
40€ 1.017,93
50€ 1.272,41
60€ 1.526,89
70€ 1.781,37
80€ 2.035,85
90€ 2.290,34
100€ 2.544,82
110€ 2.799,30
120€ 3.053,78
130€ 3.308,26
140€ 3.562,75
150€ 3.817,23

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5V

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Si

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