MOSFET IXYS IXFN24N100, VDSS 1.000 V, ID 24 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Series
HiperFET
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
568000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
25.42mm
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
267 nC @ 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.6mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 480,84
€ 48,084 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
10
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Profundidad
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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