MOSFET IXYS IXFN200N10P, VDSS 100 V, ID 200 A, SOT-227 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
Polar HiPerFET
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
680000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
25.07mm
Longitud:
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
235 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
9.6mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 223,97
€ 22,397 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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