MOSFET IXYS IXFN150N65X2, VDSS 650 V, ID 145 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
145 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
HiperFET
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,04 kW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
25.07mm
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
335 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
9.6mm
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€ 47,41
€ 47,41 Each (Sin IVA)
1
€ 47,41
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 47,41 |
| 5+ | € 42,43 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
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25.07mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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