MOSFET IXYS IXFH88N30P, VDSS 300 V, ID 88 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-0732Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH88N30P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

88 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

300 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

600000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.3mm

Material del transistor

Si

Altura

21.46mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 449,16

$ 14,972 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET IXYS IXFH88N30P, VDSS 300 V, ID 88 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 449,16
60$ 898,32
90$ 1.347,47
120$ 1.796,63
150$ 2.133,44
180$ 2.560,13
210$ 2.986,81
240$ 3.413,50
270$ 3.840,19
300$ 4.051,21
330$ 4.456,33
360$ 4.861,45
390$ 5.266,57
420$ 5.671,70
450$ 6.076,82

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270$ 3.840,19
300$ 4.051,21
330$ 4.456,33
360$ 4.861,45
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
30 - 120$ 14,972$ 449,16
150 - 270$ 14,223$ 426,69
300+$ 13,504$ 405,12

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IXYS

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N

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Series

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

600000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.3mm

Material del transistor

Si

Altura

21.46mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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