MOSFET IXYS IXFH36N50P, VDSS 500 V, ID 36 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247AD
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Altura
21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 210,61
€ 7,02 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 210,61
€ 7,02 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 7,02 | € 210,61 |
| 60 - 120 | € 6,74 | € 202,20 |
| 150+ | € 6,528 | € 195,85 |
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N
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36 A
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500 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247AD
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Altura
21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
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