Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247AD
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.46mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
€ 207,12
€ 6,904 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 207,12
€ 6,904 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 30 | € 6,904 | € 207,12 |
60 - 120 | € 6,628 | € 198,85 |
150+ | € 6,42 | € 192,61 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247AD
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.46mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS