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MOSFET IXYS IXFH170N10P, VDSS 100 V, ID 170 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-4470Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH170N10P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

170 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

714000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

5.3mm

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

198 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.46mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 256,71

€ 8,557 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

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IXYS

Tipo de Canal

N

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170 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

714000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

5.3mm

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

198 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.46mm

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