MOSFET IXYS IXFH170N10P, VDSS 100 V, ID 170 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
170 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
HiperFET, Polar
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
714000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
198 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.3mm
Altura
21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 256,71
€ 8,557 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
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Profundidad
5.3mm
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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