MOSFET IXYS IXFH16N50P, VDSS 500 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 194-524PMarca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH16N50P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.26mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

43 nC a 10 V

Profundidad

5.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

21.46mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

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400 mΩ

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Mejora

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Disipación de Potencia Máxima

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Single

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Material del transistor

Si

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1

Longitud

16.26mm

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5.3mm

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