MOSFET IXYS IXFH16N50P, VDSS 500 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 194-524PMarca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH16N50P
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.26mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

43 nC a 10 V

Profundidad

5.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.46mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

Price on asking

MOSFET IXYS IXFH16N50P, VDSS 500 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1Price on asking
2Price on asking
3Price on asking
4Price on asking
5Price on asking
6Price on asking
7Price on asking
8Price on asking
9Price on asking
10Price on asking
11Price on asking
12Price on asking
13Price on asking
14Price on asking
15Price on asking

Price on asking

MOSFET IXYS IXFH16N50P, VDSS 500 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1Price on asking
2Price on asking
3Price on asking
4Price on asking
5Price on asking
6Price on asking
7Price on asking
8Price on asking
9Price on asking
10Price on asking
11Price on asking
12Price on asking
13Price on asking
14Price on asking
15Price on asking

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.26mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

43 nC a 10 V

Profundidad

5.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.46mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more