MOSFET IXYS IXFH120N15P, VDSS 150 V, ID 120 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247AD
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Anchura
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
21.46mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 10,02
€ 10,02 Each (Sin IVA)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 10,02 |
| 5 - 19 | € 9,20 |
| 20 - 49 | € 8,66 |
| 50 - 99 | € 7,40 |
| 100+ | € 7,09 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Anchura
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
21.46mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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