MOSFET IXYS IXFB110N60P3, VDSS 600 V, ID 110 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-4726Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFB110N60P3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

HiperFET, Polar3

Tipo de Encapsulado

PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

56 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1.89 kW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5.31mm

Longitud

20.29mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

245 nC @ 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

26.59mm

País de Origen

United States

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™

Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 478,92

€ 19,157 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)

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IXYS

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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

HiperFET, Polar3

Tipo de Encapsulado

PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

56 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1.89 kW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5.31mm

Longitud

20.29mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

245 nC @ 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

26.59mm

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United States

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