MOSFET IXYS IXFB110N60P3, VDSS 600 V, ID 110 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1.89 kW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Longitud
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
245 nC @ 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
26.59mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 478,92
€ 19,157 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
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Profundidad
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
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