Transistor MOSFET International Rectifier IRLZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Series
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
8.77mm
Price on asking
1
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Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Series
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
8.77mm