SMT N channel MOSFET,IRLML2803 0.91A 30V

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Series
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 10 V
Altura
1.02mm
Profundidad
1.4mm
Price on asking
1
Price on asking
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Series
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 10 V
Altura
1.02mm
Profundidad
1.4mm