MOSFET International Rectifier IRLML2502TRPBF, VDSS 20 V, ID 4,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
IRLML2502
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Thailand
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€ 5,25
€ 0,262 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 5,25
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Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,262 | € 5,25 |
| 200 - 480 | € 0,197 | € 3,93 |
| 500 - 980 | € 0,184 | € 3,68 |
| 1000 - 1980 | € 0,118 | € 2,36 |
| 2000+ | € 0,091 | € 1,83 |
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N
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4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
IRLML2502
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
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