MOSFET International Rectifier IRLML2502TRPBF, VDSS 20 V, ID 4,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
IRLML2502
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.02mm
€ 280,51
€ 0,094 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 280,51
€ 0,094 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,094 | € 280,51 |
6000 - 6000 | € 0,089 | € 266,49 |
9000+ | € 0,083 | € 248,95 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
IRLML2502
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.02mm