Transistor MOSFET International Rectifier IRFP7537PBF, VDSS 60 V, ID 172 A, TO-247 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
172 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
142 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Price on asking
Each (In a Tube of 2) (Sin IVA)
2
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N
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172 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
142 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.