Transistor MOSFET International Rectifier IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

74 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

8.77mm