MOSFET Infineon SPW11N80C3FKSA1, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 752-8505Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPW11N80C3FKSA1Distrelec Article No.: 30284155
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

CoolMOS™ C3

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

450 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

16.13mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 3,27

$ 3,27 Each (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 3,27
2$ 6,55
3$ 9,82
4$ 13,09
5$ 16,36
6$ 19,64
7$ 22,91
8$ 26,18
9$ 29,45
10$ 32,73
11$ 36,00
12$ 39,27
13$ 42,54
14$ 45,82
15$ 49,09

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TO-247

Series

CoolMOS™ C3

Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

450 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Profundidad

5.21mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

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Altura

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