MOSFET Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 826-9074Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPD09P06PLGBTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

42 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.41mm

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Información de stock no disponible temporalmente.

€ 34,55

€ 0,691 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
50 - 200€ 0,691€ 34,55
250 - 950€ 0,443€ 22,15
1000 - 2450€ 0,352€ 17,60
2500+€ 0,307€ 15,33

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P

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9.7 A

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Series

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

42 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.41mm

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

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