Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
42 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.41mm
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 34,55
€ 0,691 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
€ 34,55
€ 0,691 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,691 | € 34,55 |
250 - 950 | € 0,443 | € 22,15 |
1000 - 2450 | € 0,352 | € 17,60 |
2500+ | € 0,307 | € 15,33 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
42 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.41mm
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.