MOSFET Infineon SPA11N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 11 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Series
CoolMOS™ C3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Altura
9.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 5,98
€ 2,992 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,992 | € 5,98 |
| 20 - 48 | € 2,665 | € 5,33 |
| 50 - 98 | € 2,484 | € 4,97 |
| 100 - 198 | € 2,332 | € 4,66 |
| 200+ | € 2,156 | € 4,31 |
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Largo
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Altura
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