MOSFET Infineon IRLU024NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
2.39mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 40,65
€ 0,542 Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
75
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75
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,542 | € 40,66 |
| 150 - 300 | € 0,428 | € 32,12 |
| 375 - 675 | € 0,401 | € 30,10 |
| 750 - 1800 | € 0,374 | € 28,07 |
| 1875+ | € 0,341 | € 25,61 |
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Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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Mexico
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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
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