MOSFET Infineon IRLML9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 725-9366PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRLML9301TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Series

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

64 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.04mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,8 nC a 4,5 V

Profundidad

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 5,26

€ 0,263 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRLML9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 5,26
40€ 10,51
60€ 15,77
80€ 21,03
100€ 26,28
120€ 31,54
140€ 36,79
160€ 42,05
180€ 47,31
200€ 52,56
220€ 57,82
240€ 63,08
260€ 68,33
280€ 73,59
300€ 78,85

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Series

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

64 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.04mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,8 nC a 4,5 V

Profundidad

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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